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Samsung commence la production de V-NAND 256 Go

Technologie : Samsung Electronics a commencé la production de sa cinquième génération de V-NAND 256 Go avec une vitesse de transfert de données de 1,4-gigabits par seconde (Gbps).


Samsung Electronics a commencé la production en série de sa puce mémoire V-NAND de cinquième génération, a annoncé la société. Le V-NAND 256Gb a un taux de transfert de données de 1.4Gbps grâce à son interface Toggle DDR 4.0.


 


a tension de fonctionnement a été réduite de 1,8 volts à 1,2 volts entre les deux générations. La vitesse d'écriture est de 500 microsecondes, tandis que le temps de réponse au signal de lecture a été réduit à 50 microsecondes.


Ce V-NAND a 90 couches de cellules 3D CTF (charge trap flash) empilées dans une pièce en forme de pyramide équipée de canaux microscopiques percés verticalement. Des trous de 100 nanomètres qui contiennent 85 milliards de cellules CTF qui peuvent stocker 3 bits chacune. Samsung proposera également un produit de 1 terabit (Tb) à quadruple niveau (QLC) basé sur cette technologie, a annoncé la société dans un communiqué.


Innovateur face à la concurrence


Le géant technologique sud-coréen est le premier à lancer une V-NAND à 90 couches, devant ses rivaux SK Hynix, Toshiba et Micron. Tout au plus, les concurrents offrent 72 couches. Être le premier à proposer cette technologie devrait permettre à Samsung de récolter d'énormes profits dans les mois qui viennent. De quoi conforter sa position, l'entreprise affiche déjà des bénéfices record sur sept trimestres consécutifs.